碳化硅（SiC）是一種半導體材料，是目前晶體生產技術和器件制造領域應用廣泛的材料，具有更高的擊穿電場強度、載流子飽和漂移速率、熱導率和熱穩定性特點，可顯著降低電子設備能耗，被譽為“綠色半導體材料”。

近年來，圍繞SiC/SiC復合材料相關研究非常火熱，通過旋轉圓盤電極（RDE）技術展開電沉積Ni-SiC 復合鍍層性能測試備受關注。

電沉積是研究金屬或合金從其化合物水溶液、非水溶液或熔鹽中電化學沉積的過程。在研究中，我們可以通過DSR數字型旋轉圓盤圓環電極裝置展開相關實驗研究。

電沉積實驗是如何進行的呢？舉個例子來了解下。

* 溶液的成分以及電沉積的操作參數，制備鍍液時使用了分析純試劑和蒸餾水。

1、在沉積之前，碳化硅（SiC）顆粒需在蒸餾水中分散 24 小時（因為碳化硅納米顆粒具有疏水性，需要一定時間來使碳化硅納米顆粒的表面水化）。

2、然后，將碳化硅漿料添加到電解液中。圓盤狀陰極由銅制成，直徑為 15 毫米，厚度為 1 毫米，將其插入聚四氟乙烯（PTFE）旋轉圓盤電極（RDE）夾具中，露出一個直徑 15 毫米的圓形窗口與電解液接觸。

3、在旋轉圓盤電極電解池中，陰極與陽極呈水平對齊放置，陰/陽極之間的距離為2厘米。

4、使用飽和甘汞電極和一個20毫米×20毫米的純鉑對電極。參比電極放置在與主電解池分隔開的玻璃臂中，對電極則盡可能放置在離陰極較遠的位置，以免干擾流向電極的電流的均勻性或電極表面的顆粒分布。

5、每次實驗前，陰極需依次在乙醇、丙酮和蒸餾水中各超聲清洗10分鐘。

6、在由鹽酸(HCI):硫酸(HzSO4):硝酸(HNO3):水(H20) 按3:10:5:2的比例配成的溶液中活化30秒，用蒸餾水沖洗后，立即浸入鍍液中（在電沉積過程開始前，鍍液需用超聲波均質儀超聲處理10分鐘），采用電化學工作站進行電化學研究，以便電沉積得到目標復合涂層。在電沉積過程開始前，鍍液需用超聲波均質儀超聲處理10分鐘，采用電化學工作站進行電化學研究。

復合涂層的表面形貌通過掃描電子顯微鏡（SEM）進行觀察，T掃描電鏡操作電壓為30千伏。表面粗糙度使用觸針式儀器進行測量。

沉積物的化學成分通過安裝在掃描電鏡上的能量色散X射線光譜儀系統來確定。 

在表1所述的條件下，使用20克/升的碳化硅（SiC），旋轉圓盤電極（RDE）轉速為600轉/分鐘，電沉積制備了鎳-碳化硅復合涂層。

在本研究中采用的旋轉圓盤電極（RDE）轉速是經過前人充分研究中得出的最佳旋轉圓盤電極轉速。在旋轉圓盤電極體系中，通過溶液流體動力學，電極的旋轉能夠使陰極區域富集顆粒。

在脈沖電流條件下，在旋轉圓盤電極上制備了鎳/碳化硅復合鍍層。研究了脈沖參數、電流密度、電解液中SiC含量對SiC電沉積的影響。

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